MOSFET Infineon, canale Tipo P 150 V, 420 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD42DP15LMATMA1

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Codice RS:
235-4858
Codice costruttore:
IPD42DP15LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

420mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

-43nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P OptiMOS™ 150V Infineon nel contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile a livello logico con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Resistenza alle valanghe

Contenitore a montaggio superficiale con ingombro standard industriale

Prestazioni robuste e affidabili

Maggiore sicurezza dell'approvvigionamento

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