MOSFET Infineon, canale N, 39 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale N singolo Infineon OptiMOSTM 5 da 60 V, 1,05 mΩ, 330 A in un contenitore SSO8. Il MOSFET di potenza OptiMOSTM 5 da 60 V in contenitore SuperSO8 ISC010N06NM5 di Infineon offre una bassa resistenza in stato attivo RDS a 25 ̊C e 175 ̊C e un'elevata corrente continua fino a 330 A. I MOSFET OptiMOSTM in contenitore SuperSO8 di Infineon espandono il portafoglio di prodotti OptiMOSTM 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza oltre a una maggiore robustezza, rispondendo all'esigenza di costi di sistema ridotti e prestazioni elevate. La bassa carica di recupero inverso Qrr migliora l'affidabilità del sistema fornendo una significativa riduzione del sovraccarico di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti snubber, con conseguente riduzione dei costi e degli sforzi di ingegneria.

Ottimizzato per la rettifica sincrona
Testato a valanga al 100%
Resistenza termica superiore
Canale N
175° C nominale
Placcatura in piombo senza Pb