MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 2.4 mΩ, 330 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie ISC010N06NM5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-6375
Codice costruttore:
ISC010N06NM5
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

330A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

ISC

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

171W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N singolo Infineon OptiMOSTM 5 da 60 V, 1,05 mΩ, 330 A in un contenitore SSO8. Il MOSFET di potenza OptiMOSTM 5 da 60 V in contenitore SuperSO8 ISC010N06NM5 di Infineon offre una bassa resistenza in stato attivo RDS a 25 ̊C e 175 ̊C e un'elevata corrente continua fino a 330 A. I MOSFET OptiMOSTM in contenitore SuperSO8 di Infineon espandono il portafoglio di prodotti OptiMOSTM 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza oltre a una maggiore robustezza, rispondendo all'esigenza di costi di sistema ridotti e prestazioni elevate. La bassa carica di recupero inverso Qrr migliora l'affidabilità del sistema fornendo una significativa riduzione del sovraccarico di tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti snubber, con conseguente riduzione dei costi e degli sforzi di ingegneria.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Testato a valanga al 100%

Resistenza termica superiore

Canale N

175° C nominale

Placcatura in piombo senza Pb; Conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la normativa IEC61249-2-21

Maggiore affidabilità del giunto di saldatura grazie all'interconnessione della sorgente allargata

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