MOSFET ROHM, canale N 60 V, 2.7 mΩ N, 10.3 A, 8 Pin, HUML2020L8, Montaggio superficiale RF4L070BGTCR

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Codice RS:
241-2264
Codice costruttore:
RF4L070BGTCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

HUML2020L8

Serie

RF4L

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

ROHM RF4G100BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Stampo piccolo ad alta potenza PackageHUML2020L8

Placcatura senza piombo conforme alla direttiva RoHS

Senza alogeni

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