MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSZ075N08NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9683
Codice costruttore:
BSZ075N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 80 V e una corrente di drenaggio (ID) di 73 A. Offre una riduzione RDS(on) del 43% rispetto alle generazioni precedenti ed è ideale per le alte frequenze di commutazione. regolatore, ecc. È stato progettato appositamente per la rettifica sincrona negli alimentatori per telecomunicazioni e server. Inoltre, può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali, come ad esempio energia solare, azionamenti a bassa tensione e adattatori.

Ideale per la commutazione e la sincronizzazione ad alta frequenza. rec.

Tecnologia ottimizzata per convertitori c.c./c.c.

Eccellente carica gate x prodotto RDS(on) (FOM)

Resistenza in stato attivo molto bassa RDS(on)

testato al 100% valanga a

canale N, livello normale.

Qualificato in conformità a JEDEC1) per le applicazioni target

Placcatura conduttore senza piombo

conforme a RoHS senza alogeni

in conformità a IEC61249-2-21

Maggiore affidabilità del giunto di saldatura con interconnessione sorgente estesa

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