MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSZ063N04LS6ATMA1
- Codice RS:
- 243-9312
- Codice costruttore:
- BSZ063N04LS6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,11 €
(IVA esclusa)
6,24 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 25 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,022 € | 5,11 € |
| 50 - 120 | 0,88 € | 4,40 € |
| 125 - 245 | 0,828 € | 4,14 € |
| 250 - 495 | 0,764 € | 3,82 € |
| 500 + | 0,706 € | 3,53 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-9312
- Codice costruttore:
- BSZ063N04LS6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 212A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 212A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSZ, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 212 A - BSZ063N04LS6ATMA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi compatti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è adatto per applicazioni che richiedono basse perdite di conduzione e una notevole gestione della corrente continua in un contenitore di dimensioni ridotte, rispettando al contempo le direttive RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa resistenza di accensione di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 212 A consente la gestione di correnti elevate
• La dissipazione di potenza di 81 W supporta la commutazione ad alta potenza
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente applicazioni a media tensione
• La carica gate tipica di 80 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• Il limite gate-source da 20 V supporta tensioni gate-drive standard
• La corrente di drenaggio continua di 212 A consente la gestione di correnti elevate
• La dissipazione di potenza di 81 W supporta la commutazione ad alta potenza
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente applicazioni a media tensione
• La carica gate tipica di 80 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• Il limite gate-source da 20 V supporta tensioni gate-drive standard
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente in alimentatori compatti
• Ideale per la rettifica sincrona nelle guide di alimentazione del server
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono robusti interruttori a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per i sistemi di gestione delle batterie in contesti ad alto carico
• Adatto per le fasi di potenza in cui la bassa perdita di conduzione è importante
• Ideale per la rettifica sincrona nelle guide di alimentazione del server
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono robusti interruttori a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per i sistemi di gestione delle batterie in contesti ad alto carico
• Adatto per le fasi di potenza in cui la bassa perdita di conduzione è importante
Quale formato di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?
È fornito in un contenitore SuperSO8 5x6 SMD a 8 pin per il montaggio superficiale.
Quale intervallo termico può resistere durante il funzionamento?
È classificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C senza modifica delle specifiche.
In che modo l'azionamento del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?
La carica di gate tipica è di 80 nC, che determina la corrente di azionamento necessaria per la velocità di commutazione target.
È adatto ai requisiti delle specifiche automobilistiche?
Non presenta una designazione standard per il settore automobilistico e deve essere valutato in base alle esigenze di qualificazione dei veicoli.
Quale limitazione devono rispettare i progettisti per la tensione di gate?
La tensione gate-source non deve superare 20 V per evitare lo stress del dispositivo.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ017NE2LS5IATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ033NE2LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ0901NSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ040N06LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ075N08NS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSZ031NE2LS5ATMA1