MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie

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Codice RS:
241-9680
Codice costruttore:
BSZ040N06LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSZ

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 60 V e una corrente di drenaggio (ID) di 101 A. Il suo livello logico è particolarmente adatto per le applicazioni di ricarica wireless, adattatori e telecomunicazioni. La bassa carica gate dei dispositivi (Q g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I valori di merito migliorati consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'azionamento di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(th)) che consente ai MOSFET di essere azionati a 5 V e direttamente dai microcontrollori.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni, ad esempio sincronizzazione e rec.

100% testato a valanga

Resistenza termica superiore per contenitore

Canale N

Qualificato secondo JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Placcatura del conduttore senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21

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