MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie
- Codice RS:
- 241-9680
- Codice costruttore:
- BSZ040N06LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
2605,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,521 € | 2.605,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9680
- Codice costruttore:
- BSZ040N06LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 212A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 212A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 60 V e una corrente di drenaggio (ID) di 101 A. Il suo livello logico è particolarmente adatto per le applicazioni di ricarica wireless, adattatori e telecomunicazioni. La bassa carica gate dei dispositivi (Q g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I valori di merito migliorati consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'azionamento di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(th)) che consente ai MOSFET di essere azionati a 5 V e direttamente dai microcontrollori.
Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni, ad esempio sincronizzazione e rec.
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore
Canale N
Qualificato secondo JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21
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