Transistor MOSFET Infineon, canale N, 101 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 60 V e una corrente di drenaggio (ID) di 101 A. Il suo livello logico è particolarmente adatto per le applicazioni di ricarica wireless, adattatori e telecomunicazioni. La bassa carica gate dei dispositivi (Q g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I valori di merito migliorati consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione. Inoltre, l'azionamento di livello logico fornisce una bassa tensione di soglia gate (V GS(th)) che consente ai MOSFET di essere azionati a 5 V e direttamente dai microcontrollori.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni, ad esempio sincronizzazione e rec.
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore
Canale N
Qualificato secondo JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21