MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 212 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSZ017NE2LS5IATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9679
Codice costruttore:
BSZ017NE2LS5IATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

212A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 25 V e una corrente di drenaggio (ID) di 134 A. Offre soluzioni di riferimento consentendo la massima densità di potenza e efficienza energetica, sia in standby che in pieno funzionamento. È dotato della migliore resistenza in stato attivo e ha un uso più ampio in desktop e server, regolatori di tensione ad alta densità di potenza, ecc.

Ottimizzato per convertitori buck ad alte

prestazioniMonolitico Schottky integrato come

diodoRDS(on) a VGS = 4,5 V

100% valanga testato

a canale N qualificato secondo JEDEC1 per applicazioni target

placcatura conduttore senza piombo

conforme a RoHS senza alogeni

secondo IEC61249-2-21

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