MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IAUC120N04S6L012ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9890
Codice costruttore:
IAUC120N04S6L012ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET di potenza a canale N per applicazioni automobilistiche. È testato al 100% a valanga.

Qualificato AEC Q101

MSL1 fino a 260°C di picco di riflusso

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

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