MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IAUC90N10S5N062ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-9892
Codice costruttore:
IAUC90N10S5N062ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IAUC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS 5 Infineon è un MOSFET di potenza a canale N per applicazioni automobilistiche. È utilizzabile per l'ispezione ottica automatica (AOI).

Qualificato AEC Q101

Prodotto verde (conforme a RoHS)

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