Transistor MOSFET Infineon, canale N, 1,7 A, SOT-223, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 244-2264
- Codice costruttore:
- IPN50R3K0CEATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 244-2264
- Codice costruttore:
- IPN50R3K0CEATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,7 A | |
| Tensione massima drain source | 500 V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 1,7 A | ||
Tensione massima drain source 500 V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
I MOSFET di potenza CoolMOS™ CE di Infineon costituiscono una piattaforma tecnologica di MOSFET di potenza ad alta tensione, progettati secondo il principio della supergiunzione (SJ) e concepiti per soddisfare le esigenze dei consumatori.
Perdite estremamente basse grazie a FOM Rdson Qg ed Eoss molto bassi.
Elevata robustezza di commutazione.
Facilità d'uso/gestione.
Placcatura senza Pb, composto per stampi senza alogeni.
Qualificato per applicazioni di grado standard.
Elevata robustezza di commutazione.
Facilità d'uso/gestione.
Placcatura senza Pb, composto per stampi senza alogeni.
Qualificato per applicazioni di grado standard.
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