MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ, 43 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 244-2876
- Codice costruttore:
- AUIRFR3806TRL
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
2268,00 €
(IVA esclusa)
2766,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,756 € | 2.268,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-2876
- Codice costruttore:
- AUIRFR3806TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 43A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 43A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il Infineon AUIRFR2905ZTRL, progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e una grande varietà di altre applicazioni.
Avanzata tecnologia di processo
Resistenza ultra bassa in stato attivo
Classificazione DV/DT dinamica
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo, Conformità RoHS
Qualificato per il settore automobilistico *
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