MOSFET Infineon, canale N, 43 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Il Infineon AUIRFR2905ZTRL, progettato specificamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e una grande varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo
Resistenza ultra bassa in stato attivo
Classificazione DV/DT dinamica
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo, Conformità RoHS
Qualificato per il settore automobilistico *