MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3 mΩ, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRLR3410TRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2883
Codice costruttore:
AUIRLR3410TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

AUIRFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon AUIRLR3410TRL, progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa struttura planare Stripe di MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia planare

Bassa resistenza in stato attivo

Stadio pilota livello logico

Classificazione DV/DT dinamica

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Completamente Avalanche

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo, Conformità RoHS

Qualificato per il settore automobilistico *

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