MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3 mΩ, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRLR3410TRL
- Codice RS:
- 244-2883
- Codice costruttore:
- AUIRLR3410TRL
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
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- Codice costruttore:
- AUIRLR3410TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRLR3410TRL, progettata specificamente per le applicazioni automobilistiche, questa struttura planare Stripe di MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Avanzata tecnologia planare
Bassa resistenza in stato attivo
Stadio pilota livello logico
Classificazione DV/DT dinamica
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Commutazione rapida
Completamente Avalanche
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo, Conformità RoHS
Qualificato per il settore automobilistico *
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