MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 0.014 Ω Miglioramento, 101 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 246-6864
- Codice costruttore:
- DMT10H9M9LCT
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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| 500 - 950 | 0,87 € | 43,50 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-6864
- Codice costruttore:
- DMT10H9M9LCT
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 101A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.014Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.82 mm | |
| Altezza | 31.24mm | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 101A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.014Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.82 mm | ||
Altezza 31.24mm | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET DiodesZetex è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di commutazione eccellenti, il che lo rende ideale per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore TO220AB. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 100 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo. Ha un valore nominale BVDSS elevato per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso
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