MOSFET DiodesZetex, canale N, 0.003 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale

DiodesZetex realizza un nuovo MOSFET a canale N in modalità potenziata, progettato per ridurre al minimo la resistenza di stato (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, rendendolo ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le dimensioni del contenitore inferiori a 1,1 mm lo rendono ideale per le applicazioni sottili.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Il contenitore termicamente efficiente è ideale per le applicazioni con funzionamento più freddo Offre una bassa capacità di ingresso