MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 0.003 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie

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Codice RS:
246-6876
Codice costruttore:
DMT32M5LPSW-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerDI5060-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.003Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.4mm

Altezza

1mm

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

DiodesZetex realizza un nuovo MOSFET a canale N in modalità potenziata, progettato per ridurre al minimo la resistenza di stato (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, rendendolo ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le dimensioni del contenitore inferiori a 1,1 mm lo rendono ideale per le applicazioni sottili.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 30 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±20 V Il contenitore termicamente efficiente è ideale per le applicazioni con funzionamento più freddo Offre una bassa capacità di ingresso

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