MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 170 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie DMTH32M5LPSQ-13
- Codice RS:
- 246-7563
- Codice costruttore:
- DMTH32M5LPSQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,15 € | 5,75 € |
| 50 - 95 | 1,032 € | 5,16 € |
| 100 - 245 | 0,832 € | 4,16 € |
| 250 - 995 | 0,812 € | 4,06 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 246-7563
- Codice costruttore:
- DMTH32M5LPSQ-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 170A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerDI5060-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0032Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.73W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 170A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerDI5060-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0032Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.73W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le dimensioni del contenitore inferiori a 1,1 mm lo rendono ideale per le applicazioni sottili.
La tensione massima da drain a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±16 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso
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