MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 0.0032 Ω Miglioramento, 170 A, 8 Pin, PowerDI5060-8, Superficie DMTH32M5LPSQ-13

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

5,75 €

(IVA esclusa)

7,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2490 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,15 €5,75 €
50 - 951,032 €5,16 €
100 - 2450,832 €4,16 €
250 - 9950,812 €4,06 €
1000 +0,792 €3,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7563
Codice costruttore:
DMTH32M5LPSQ-13
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerDI5060-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0032Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.73W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità potenziata a canale N, progettato per soddisfare i rigorosi requisiti delle applicazioni automobilistiche. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito nel contenitore powerDI5060-8. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Ha un valore nominale di +175 °C e è ideale per ambienti ad alta temperatura ambiente. DiodesZetex realizza un MOSFET a doppia modalità di potenziamento a canale N di nuova generazione, è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e mantenere al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Le dimensioni del contenitore inferiori a 1,1 mm lo rendono ideale per le applicazioni sottili.

La tensione massima da drain a sorgente è di 30 V e la tensione massima da gate a sorgente è di ±16 V. Offre una bassa resistenza in stato attivo e ha un elevato valore nominale BVDSS per l'applicazione di potenza. Offre una bassa capacità di ingresso

Link consigliati