MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3 mΩ, 195 A, 3 Pin, TO-220, Superficie AUIRFB8409
- Codice RS:
- 249-6872
- Codice costruttore:
- AUIRFB8409
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 249-6872
- Codice costruttore:
- AUIRFB8409
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 195A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 195A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie AUIRFS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET di potenza HEXFET di Infineon utilizzano le più recenti tecniche di lavorazione per ottenere una bassa resistenza di accensione per area di silicio. Questo vantaggio, unito alla rapida velocità di commutazione e alla struttura robusta per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nel settore automobilistico e in un'ampia gamma di altre applicazioni.
Tecnologia planare avanzata
Bassa resistenza all'accensione
Valore nominale dinamico dv/dt
Temperatura d'esercizio 175 °C
Commutazione rapida