MOSFET Nexperia, canale Tipo N 50 V, 0.9 mΩ Miglioramento, 0.41 A, 4 Pin, LFPAK88, Superficie
- Codice RS:
- 251-7922
- Codice costruttore:
- PSMNR90-50SLHAX
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
6506,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,253 € | 6.506,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 251-7922
- Codice costruttore:
- PSMNR90-50SLHAX
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.41A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Tipo di package | LFPAK88 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 1.7 mm | |
| Altezza | 8.1mm | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.41A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Tipo di package LFPAK88 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 112nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 1.7 mm | ||
Altezza 8.1mm | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET a canale N Nexperia in modalità di potenziamento, in contenitore LFPAK88, offre una corrente continua di 410 Amp, con pilotaggio del gate a livello standard. La famiglia ASFET per l'isolamento della batteria e il controllo del motore c.c., che utilizza l'esclusiva tecnologia "Schottky Plus" di Nexperia, offre un'elevata efficienza e prestazioni a basso picco solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simil-Schottky integrato, ma senza la problematica della corrente di dispersione elevata.
Attacco con clip in rame e stampo a saldatura per una bassa induttanza e resistenza del contenitore e un elevato valore nominale ID (max)
Qualificato fino a 175 °C
Classificazione con effetto anti valanga, testato al 100%
QG, QGD e QOSS bassi per un'elevata efficienza, soprattutto alle frequenze di commutazione più elevate
Commutazione ultraveloce con recupero morbido del diodo corpo per un basso livello di disturbi e risonanza, consigliato per progetti a bassa EMI
Classificazione indicatore VGS(th) stretto per funzionamento semplificato in parallelo e corrente condivisa migliorata
Modalità lineare molto forte e caratteristiche area operativa per commutazione sicura e affidabile in condizioni di corrente elevata
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