MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 0.97 mΩ Miglioramento, 320 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMNR90-40YSNX

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Codice RS:
219-300
Codice costruttore:
PSMNR90-40YSNX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

320A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.97mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

268W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
L'ASFET a canale N N Nexperia è ottimizzato per le applicazioni di sistemi a batteria, offrendo un basso RDS(on) e una forte capacità SOA per ridurre al minimo le perdite di conduzione I2R. Offre un'elevata efficienza, una ridotta generazione di calore e una gestione superiore della corrente di ingresso durante condizioni di transitori e guasti. Le applicazioni principali includono sistemi di gestione della batteria, eFuse, commutazione del carico, controllo motore BLDC, alimentatori ad alte prestazioni e rettifica sincrona.

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