MOSFET Nexperia, canale N, 410 A, LFPAK88, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N Nexperia in modalità di potenziamento, in contenitore LFPAK88, offre una corrente continua di 410 Amp, con pilotaggio del gate a livello standard. La famiglia ASFET per l'isolamento della batteria e il controllo del motore c.c., che utilizza l'esclusiva tecnologia "Schottky Plus" di Nexperia, offre un'elevata efficienza e prestazioni a basso picco solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simil-Schottky integrato, ma senza la problematica della corrente di dispersione elevata.

Attacco con clip in rame e stampo a saldatura per una bassa induttanza e resistenza del contenitore e un elevato valore nominale ID (max)
Qualificato fino a 175 °C
Classificazione con effetto anti valanga, testato al 100%
QG, QGD e QOSS bassi per un'elevata efficienza, soprattutto alle frequenze di commutazione più elevate
Commutazione ultraveloce con recupero morbido del diodo corpo per un basso livello di disturbi e risonanza, consigliato per progetti a bassa EMI
Classificazione indicatore VGS(th) stretto per funzionamento semplificato in parallelo e corrente condivisa migliorata
Modalità lineare molto forte e caratteristiche area operativa per commutazione sicura e affidabile in condizioni di corrente elevata