MOSFET Nexperia, canale N, 410 A, SOT1235, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N con modalità di potenziamento del gate drive a livello logico Nexperia in contenitore LFPAK88 a 175 °C. Parte della famiglia di ASFET per l'isolamento della batteria e il controllo del motore c.c. e utilizzando l'esclusiva tecnologia Schottky Plus di Nexperia, fornisce un'elevata efficienza e basse prestazioni di picco generalmente associate a MOSFET con un diodo integrato a Schottky o simile a Schottky, ma senza problematiche correnti di dispersione elevate. L'ASFET è particolarmente adatto per le applicazioni alimentate a batteria da 36 V che richiedono una forte capacità a valanga, prestazioni in modalità lineare, l'uso ad alte frequenze di commutazione e anche una commutazione sicura e affidabile a corrente di carico elevata.

Commutazione ultrarapida con recupero del diodo del corpo morbido
Modalità lineare molto potente