MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.5 Ω, -5.1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 256-7312
Codice costruttore:: IRFR9014PBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.5 Ω, -5.1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 tubo da 75 unità*

27,45 €

(IVA esclusa)

33,525 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

2775 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per Tubo*
75 +	0,366 €	27,45 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 256-7312
Codice costruttore:: IRFR9014PBF
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	-5.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-60V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	IRFR9014
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.5Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-5.5V
	Dissipazione di potenza massima Pd	25W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Altezza	2.38mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id -5.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V
	Tipo di package TO-252
	Serie IRFR9014
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.5Ω
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -5.5V
	Dissipazione di potenza massima Pd 25W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Altezza 2.38mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza serie IRFR9014 Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -60 V, dissipazione di potenza massima 25 W - IRFR9014PBF

Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a canale P progettato per le attività di commutazione e amplificazione all'interno dei sistemi elettronici industriali. Funziona a tensioni di drenaggio-sorgente negative fino a -60 V e supporta correnti continue moderate, il che lo rende adatto per il trasferimento di potenza controllato in assemblaggi a montaggio superficiale. Il componente è fornito in un contenitore TO-252 ed è destinato alle applicazioni in cui sono richiesti transistor di potenza compatti montati su scheda.

Caratteristiche e vantaggi:

• Bassi Rds(on) di 0,5 Ω che garantiscono perdite di conduzione ridotte
• Corrente di drenaggio continua massima di -5,1 A che consente la gestione di carichi sostenuti
• Vgs nominale fino a 20 V che consente robusti margini di azionamento del gate
• Carica gate tipica 12 nC che facilita una dinamica di commutazione più rapida
• Dissipazione di potenza massima di 25 W che supporta l'headroom termico
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C per tollerare temperature estreme

Applicazioni

• Adatto per la commutazione high-side nei moduli di controllo
• Ideale per la gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature di automazione
• Utilizzato con driver per motori che richiedono la commutazione a canale P
• Può essere utilizzato per la protezione del carico nei gruppi elettrici
• Adatto per schede di alimentazione compatte a montaggio superficiale

Quale pacchetto devo aspettarmi per la pianificazione dell'ingombro?

Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 con tre pin per il montaggio diretto su circuito stampato.

In che modo la sua carica di gate influisce sulla progettazione della commutazione?

Una carica di gate di 12 nC determina l'energia di azionamento richiesta e influenza le perdite di commutazione e la selezione del driver per una temporizzazione efficiente.

Quali sono i limiti termici rilevanti per le strategie di raffreddamento?

Il componente accetta una dissipazione fino a 25 W e una temperatura di giunzione massima di +150 °C, pertanto il dissipatore di calore e il rame per circuito stampato devono essere dimensionati di conseguenza.

Quali limiti di tensione e corrente devono rispettare i circuiti di protezione?

Misure protettive di progettazione per una tensione massima di drenaggio-sorgente di -60 V e una corrente di drenaggio continua di -5,1 A per evitare sovratensioni.

Esistono considerazioni sulla manipolazione per i gate e i pin?

Osservare la tensione nominale massima gate-source di 20 V per evitare danni all'ossido del gate e garantire precauzioni ESD durante l'assemblaggio.