MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.5 Ω, -5.1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR9014PBF
- Codice RS:
- 256-7313
- Codice costruttore:
- IRFR9014PBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
8,69 €
(IVA esclusa)
10,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2780 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 0,869 € | 8,69 € |
| 20 - 40 | 0,852 € | 8,52 € |
| 50 - 90 | 0,833 € | 8,33 € |
| 100 - 490 | 0,678 € | 6,78 € |
| 500 + | 0,56 € | 5,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7313
- Codice costruttore:
- IRFR9014PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -5.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -60V | |
| Serie | IRFR9014 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.5Ω | |
| Tensione diretta Vf | -5.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Altezza | 2.38mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id -5.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V | ||
Serie IRFR9014 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.5Ω | ||
Tensione diretta Vf -5.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Altezza 2.38mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRFR9014 di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di -60 V, corrente di drenaggio continua massima di 5,1 A - IRFR9014PBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale P progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione nell'elettronica a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature e si adatta ad assemblaggi compatti in cui è richiesto l'azionamento del gate controllato e la gestione di corrente moderata. Il dispositivo è fornito in un contenitore TO‐252 ed è conforme alle direttive RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio di 60 V supporta applicazioni di commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di -5,1 A consente una gestione del carico moderata
• Rds(on) di 0,5 Ω riduce le perdite di conduzione nei circuiti a bassa potenza
• La carica gate tipica di 12 nC consente una commutazione gate più rapida
• La dissipazione di potenza massima di 25 W gestisce il carico termico in layout compatti
• La tolleranza del gate di ±20 V offre flessibilità nelle disposizioni del gate drive
• La corrente di drenaggio continua di -5,1 A consente una gestione del carico moderata
• Rds(on) di 0,5 Ω riduce le perdite di conduzione nei circuiti a bassa potenza
• La carica gate tipica di 12 nC consente una commutazione gate più rapida
• La dissipazione di potenza massima di 25 W gestisce il carico termico in layout compatti
• La tolleranza del gate di ±20 V offre flessibilità nelle disposizioni del gate drive
Applicazioni
• Adatto per la protezione contro l'inversione di polarità nei sistemi CC
• Ideale per piccoli circuiti di controllo e azionamento dei motori
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione su gruppi compatti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nell'elettronica di consumo
• Adatto per la commutazione di polarizzazione e polarità in array di sensori
• Ideale per piccoli circuiti di controllo e azionamento dei motori
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione su gruppi compatti
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nell'elettronica di consumo
• Adatto per la commutazione di polarizzazione e polarità in array di sensori
Quale metodo di montaggio è necessario per un'installazione affidabile?
È progettato per il montaggio superficiale su schede a circuito stampato utilizzando l'ingombro a tre pin TO‐252 con profili di saldatura appropriati per il trasferimento termico.
Come si comporta a temperature ambientali elevate?
Il componente è classificato per funzionare fino a una giunzione di +150 °C, consentendo l'uso in ambienti ad alta temperatura con una gestione termica adeguata.
Quali limiti di gate‐drive devono essere rispettati per evitare danni?
La tensione da gate a sorgente non deve superare ±20 V in nessuna condizione operativa per evitare l'eccessiva sollecitazione dell'ossido di gate.
Questo dispositivo è specificato per la qualifica standard automobilistico?
Non è designato come conforme agli standard specifici per il settore automobilistico e non deve essere considerato come una sostituzione dei componenti classificati per il settore automobilistico.
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.5 Ω 3 Pin Superficie IRFR9014PBF
- MOSFET Vishay 500 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFR9014TRPBF
- MOSFET Vishay 0.5 Ω 3 Pin Superficie IRFR9024PBF
- MOSFET di potenza Vishay 0.5 Ω 3 Pin Superficie IRFR9010TRPBF
- MOSFET Infineon 15.1 A, TO-252
- MOSFET Infineon 15.1 A, TO-252 IPD65R400CEAUMA1
- MOSFET ROHM 127 mΩ P 3 Pin Superficie
- MOSFET ROHM 410 mΩ P 3 Pin Superficie