MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 0.5 Ω, -5.1 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR9014PBF
- Codice RS:
- 256-7313
- Codice costruttore:
- IRFR9014PBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7313
- Codice costruttore:
- IRFR9014PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -5.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IRFR9014 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.5Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Tensione diretta Vf | -5.5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2.38mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id -5.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IRFR9014 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.5Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Tensione diretta Vf -5.5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2.38mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRFR9014 Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -60 V, dissipazione di potenza massima 25 W - IRFR9014PBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a canale P progettato per le attività di commutazione e amplificazione all'interno dei sistemi elettronici industriali. Funziona a tensioni di drenaggio-sorgente negative fino a -60 V e supporta correnti continue moderate, il che lo rende adatto per il trasferimento di potenza controllato in assemblaggi a montaggio superficiale. Il componente è fornito in un contenitore TO-252 ed è destinato alle applicazioni in cui sono richiesti transistor di potenza compatti montati su scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• Bassi Rds(on) di 0,5 Ω che garantiscono perdite di conduzione ridotte
• Corrente di drenaggio continua massima di -5,1 A che consente la gestione di carichi sostenuti
• Vgs nominale fino a 20 V che consente robusti margini di azionamento del gate
• Carica gate tipica 12 nC che facilita una dinamica di commutazione più rapida
• Dissipazione di potenza massima di 25 W che supporta l'headroom termico
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C per tollerare temperature estreme
• Corrente di drenaggio continua massima di -5,1 A che consente la gestione di carichi sostenuti
• Vgs nominale fino a 20 V che consente robusti margini di azionamento del gate
• Carica gate tipica 12 nC che facilita una dinamica di commutazione più rapida
• Dissipazione di potenza massima di 25 W che supporta l'headroom termico
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C per tollerare temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per la commutazione high-side nei moduli di controllo
• Ideale per la gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature di automazione
• Utilizzato con driver per motori che richiedono la commutazione a canale P
• Può essere utilizzato per la protezione del carico nei gruppi elettrici
• Adatto per schede di alimentazione compatte a montaggio superficiale
• Ideale per la gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature di automazione
• Utilizzato con driver per motori che richiedono la commutazione a canale P
• Può essere utilizzato per la protezione del carico nei gruppi elettrici
• Adatto per schede di alimentazione compatte a montaggio superficiale
Quale pacchetto devo aspettarmi per la pianificazione dell'ingombro?
Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 con tre pin per il montaggio diretto su circuito stampato.
In che modo la sua carica di gate influisce sulla progettazione della commutazione?
Una carica di gate di 12 nC determina l'energia di azionamento richiesta e influenza le perdite di commutazione e la selezione del driver per una temporizzazione efficiente.
Quali sono i limiti termici rilevanti per le strategie di raffreddamento?
Il componente accetta una dissipazione fino a 25 W e una temperatura di giunzione massima di +150 °C, pertanto il dissipatore di calore e il rame per circuito stampato devono essere dimensionati di conseguenza.
Quali limiti di tensione e corrente devono rispettare i circuiti di protezione?
Misure protettive di progettazione per una tensione massima di drenaggio-sorgente di -60 V e una corrente di drenaggio continua di -5,1 A per evitare sovratensioni.
Esistono considerazioni sulla manipolazione per i gate e i pin?
Osservare la tensione nominale massima gate-source di 20 V per evitare danni all'ossido del gate e garantire precauzioni ESD durante l'assemblaggio.
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