MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -50 V, 0.5 Ω, -5.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR9010TRPBF
- Codice RS:
- 256-7310
- Codice costruttore:
- IRFR9010TRPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7310
- Codice costruttore:
- IRFR9010TRPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -5.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -50V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IRFR9010 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.5Ω | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Tensione diretta Vf | -5.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id -5.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -50V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IRFR9010 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.5Ω | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Tensione diretta Vf -5.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRFR9010 di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 50 V, corrente di drenaggio continua massima di 5,3 A - IRFR9010TRPBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a semiconduttore a canale P progettato per ruoli di commutazione e gestione dell'alimentazione in gruppi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo termico ed è adatto per i circuiti che richiedono una commutazione controllata ad alta corrente e una gestione di tensione moderata in un contenitore compatto TO‐252.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 50 V consente la commutazione a tensione moderata
• Rds(on) di 0,5 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di carico
• La corrente di drenaggio continua di 5.3 A supporta l'erogazione di corrente sostenuta
• La carica gate tipica di 9.1 nC consente una risposta gate drive più rapida
• La dissipazione di potenza massima di 25 W consente un carico termico più elevato
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C supporta ambienti difficili
• Rds(on) di 0,5 Ω riduce le perdite di conduzione nei percorsi di carico
• La corrente di drenaggio continua di 5.3 A supporta l'erogazione di corrente sostenuta
• La carica gate tipica di 9.1 nC consente una risposta gate drive più rapida
• La dissipazione di potenza massima di 25 W consente un carico termico più elevato
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a +150 °C supporta ambienti difficili
Applicazioni
• Adatto per la commutazione high-side nelle guide di alimentazione
• Ideale per la gestione della batteria e la disconnessione del carico
• Utilizzato con convertitori compatti che richiedono il montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione contro l'inversione di polarità
• Adatto per test di stress termico nella convalida dell'elettronica
• Ideale per la gestione della batteria e la disconnessione del carico
• Utilizzato con convertitori compatti che richiedono il montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione contro l'inversione di polarità
• Adatto per test di stress termico nella convalida dell'elettronica
Che tipo di contenitore utilizza e come influisce sul montaggio?
Viene fornito in un contenitore TO‐252 progettato per il montaggio superficiale, offrendo un'opzione a basso profilo compatibile con i processi di rifusione e consentendo l'accoppiamento termico al rame per circuito stampato per la dissipazione del calore.
Quali limitazioni del gate drive devono essere prese in considerazione durante la progettazione?
Il dispositivo tollera fino a 20 V tra il gate e la sorgente, pertanto i driver del gate devono rimanere all'interno di tale intervallo per evitare di danneggiare l'ossido del gate.
Come deve essere affrontata la gestione termica su un circuito stampato?
Data la dissipazione massima di 25 W, i progettisti devono destinare un'adeguata area di rame o vie termiche al di sotto del contenitore per diffondere il calore e mantenere la temperatura di giunzione entro limiti di sicurezza.
Ci sono particolari considerazioni per le prestazioni di commutazione?
La carica gate tipica di 9,1 nC implica un'energia gate-drive moderata
la selezione del driver deve bilanciare la velocità di commutazione rispetto alle EMI e alla potenza di azionamento.
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