MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -50 V, 0.5 Ω, -5.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

752,00 €

(IVA esclusa)

918,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +0,376 €752,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
256-7310
Codice costruttore:
IRFR9010TRPBF
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-50V

Serie

IRFR9010

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.5Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-5.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza serie IRFR9010 di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di -50 V, dissipazione di potenza massima di 25 W - IRFR9010TRPBF


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo a montaggio superficiale a canale P progettato per la commutazione di potenza in sistemi elettronici e industriali. Offre una conduzione controllata per la commutazione a tensione negativa ed è progettato per le applicazioni che richiedono una gestione della corrente moderata e una resistenza termica in un contenitore compatto TO-252.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di -50 V consente la capacità di commutazione a tensione negativa • La corrente di drenaggio continua di -5,3 A supporta carichi di media potenza • L'Rds(on) di 0,5 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 25 W consente una gestione della potenza sostenuta • La carica di gate tipica da 9,1 nC supporta velocità di commutazione moderate • Temperatura d'esercizio massima di +150 °C per l'uso ad alta temperatura

Applicazioni


• Adatto per la protezione della batteria e i circuiti di commutazione della polarità • Ideale per la gestione dell'alimentazione nei controllori di automazione • Utilizzato per la commutazione del carico a polarità inversa nei sistemi elettrici • Può essere utilizzato per stadi MOSFET a corrente media negli alimentatori • Adatto per assemblaggi compatti a montaggio superficiale che richiedono la commutazione a canale P

Quale formato di montaggio utilizza e come influisce sui percorsi termici?


Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 (DPAK), che fornisce una linguetta in metallo e una terra per circuito stampato per il trasferimento del calore per migliorare la dissipazione termica nella scheda.

Quali sono i limiti di tensione del gate per evitare danni al dispositivo?


La tensione gate-sorgente deve essere mantenuta entro ±20 V per evitare sovratensioni dell'ossido gate.

In che modo la temperatura ambiente influisce sul funzionamento consentito?


Il valore nominale di giunzione massimo di +150 °C definisce il limite termico superiore

i progettisti devono ridurre la corrente e garantire un adeguato raffreddamento del circuito stampato quando la temperatura ambiente aumenta.

Quale numero di pin e configurazione si devono prevedere quando si progettano le impronte del circuito stampato?


Il contenitore utilizza tre pin coerenti con le piedinature standard TO-252, consentendo un design semplice per le connessioni di drenaggio, gate e sorgente.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.