MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 0.028 Ω, 17 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 256-7326
- Codice costruttore:
- IRL640PBF
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
67,85 €
(IVA esclusa)
82,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 900 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,357 € | 67,85 € |
| 100 - 450 | 1,092 € | 54,60 € |
| 500 - 950 | 0,875 € | 43,75 € |
| 1000 + | 0,753 € | 37,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7326
- Codice costruttore:
- IRL640PBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.028Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±10 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 66nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.028Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±10 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 66nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il mosfet di potenza di terza generazione Vishay Semiconductor fornisce al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design del dispositivo robusto, bassa resistenza all'accensione e convenienza. Il contenitore TO-220AB è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali e industriali con livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 W. La bassa resistenza termica e il basso costo del contenitore del TO-220AB contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
Valore nominale dinamico dV/dt
Valanga ripetitiva
Gate drive a livello logico
Commutazione rapida
Facilità di parallelizzazione
Requisiti di azionamento semplici