MOSFET Vishay, canale N, 8 A, TO-220 FULLPAK, Su foro

I mosfet di potenza di terza generazione Vishay Semiconductor forniscono al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design del dispositivo robusto, bassa resistenza all'accensione e convenienza. Il modello TO-220 FULLPAK elimina l'esigenza di ulteriori dispositivi di isolamento nelle applicazioni commerciali-industriali. Il composto di stampaggio utilizzato fornisce un'elevata capacità di isolamento e una bassa resistenza termica tra la linguetta e il dissipatore esterno. Questo isolamento è equivalente all'uso di una barriera in mica da 100 micron con il prodotto TO-220 standard. Il FULLPAK è montato su un dissipatore utilizzando una singola clip o con un singolo fissaggio a vite.

Contenitore isolato
L'isolamento ad alta tensione è di 2,5 kVRMS
La distanza di scorrimento da dissipatore a cavo è di 4,8 mm
Gate drive a livello logico
L'RDS specificato a VGS è di 4 V e 5 V
Commutazione rapida
Facilità di parallelizzazione