MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.028 Ω, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRLIZ34GPBF
- Codice RS:
- 256-7331
- Codice costruttore:
- IRLIZ34GPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 256-7331
- Codice costruttore:
- IRLIZ34GPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.028Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.028Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il mosfet di potenza di terza generazione Vishay Semiconductor fornisce al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design del dispositivo robusto, bassa resistenza all'accensione e convenienza. Il modello TO-220 FULLPAK elimina l'esigenza di ulteriori dispositivi di isolamento nelle applicazioni commerciali-industriali. Il composto di stampaggio utilizzato fornisce un'elevata capacità di isolamento e una bassa resistenza termica tra la linguetta e il dissipatore esterno.
Contenitore isolato
L'isolamento ad alta tensione è di 2,5 kVRMS
La distanza di scorrimento da dissipatore a cavo è di 4,8 mm
Gate drive a livello logico
Commutazione rapida
Facilità di parallelizzazione
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