MOSFET Infineon, canale N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 33 A, TO-252, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 257-5546
Codice costruttore:: IRFR4615TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 33 A, TO-252, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1527,00 €

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Codice RS:: 257-5546
Codice costruttore:: IRFR4615TRLPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	42mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	26nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	144W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 144W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 150 V, corrente di drenaggio continua massima 33 A - IRFR4615TRLPBF

Questo MOSFET è un transistor in modalità di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per il montaggio su circuito stampato in ruoli di commutazione di potenza. Gestisce una notevole corrente continua mentre funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è adatto nei casi in cui è richiesto l'azionamento del gate controllato e la gestione termica.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 42 mΩ riduce le perdite di conduzione
• 150 V Vds consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 33 A supporta carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 144 W consente un funzionamento prolungato
• La carica del gate di 26 nC consente una commutazione reattiva

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per la commutazione di potenza negli inverter
• Utilizzato con fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per alimentatori per telecomunicazioni
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione industriale

Quali limiti di gate drive devono essere rispettati?

Il valore nominale da gate a sorgente è di ±20 V, pertanto le ampiezze dell'azionamento del gate devono rimanere entro tale intervallo per evitare danni.

In che modo le prestazioni termiche influiscono sulle scelte di montaggio?

Con una dissipazione nominale di 144 W, sono necessarie aree in rame per circuito stampato efficaci o dissipatori di calore per gestire le temperature di giunzione durante il carico sostenuto.

Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo?

Funziona in un intervallo da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.

Questo componente è adatto per la qualificazione automobilistica?

Non è specificato come di tipo automobilistico

la conformità indicata è solo RoHS.