MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 34 mΩ, 33 A, TO-252, Montaggio su circuito stampato IRFR4615TRLPBF
- Codice RS:
- 257-5867
- Codice costruttore:
- IRFR4615TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
6,90 €
(IVA esclusa)
8,40 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1940 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,38 € | 6,90 € |
| 50 - 120 | 1,24 € | 6,20 € |
| 125 - 245 | 1,162 € | 5,81 € |
| 250 - 495 | 1,078 € | 5,39 € |
| 500 + | 0,692 € | 3,46 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5867
- Codice costruttore:
- IRFR4615TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 144W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 144W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia di MOSFET IR Infineon di MOSFET di potenza utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.
Struttura a celle planari per un'ampia SOA
Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione sotto<100 kHz
Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore
Link consigliati
- MOSFET Infineon 34 mΩ TO-252, Montaggio su circuito stampato
- MOSFET Infineon 580 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 580 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 580 mΩ TO-252, Superficie IRFR6215TRLPBF
- MOSFET Infineon 580 mΩ TO-252, Superficie IRFR6215TRPBF
- MOSFET Infineon 33 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 33 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD33CN10NGATMA1
- MOSFET Infineon 295 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
