MOSFET Infineon, canale N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 33 A, TO-252, Montaggio su circuito stampato IRFR4615TRLPBF

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

12,38 €

(IVA esclusa)

15,11 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1865 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,476 €12,38 €
50 - 1202,226 €11,13 €
125 - 2452,084 €10,42 €
250 - 4951,936 €9,68 €
500 +1,24 €6,20 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5867
Codice costruttore:
IRFR4615TRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

144W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 150 V, corrente di drenaggio continua massima 33 A - IRFR4615TRLPBF


Questo MOSFET è un transistor in modalità di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per il montaggio su circuito stampato in ruoli di commutazione di potenza. Gestisce una notevole corrente continua mentre funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente ed è adatto nei casi in cui è richiesto l'azionamento del gate controllato e la gestione termica.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 42 mΩ riduce le perdite di conduzione
• 150 V Vds consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 33 A supporta carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 144 W consente un funzionamento prolungato
• La carica del gate di 26 nC consente una commutazione reattiva

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per la commutazione di potenza negli inverter
• Utilizzato con fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per alimentatori per telecomunicazioni
• Adatto per moduli di gestione dell'alimentazione industriale

Quali limiti di gate drive devono essere rispettati?


Il valore nominale da gate a sorgente è di ±20 V, pertanto le ampiezze dell'azionamento del gate devono rimanere entro tale intervallo per evitare danni.

In che modo le prestazioni termiche influiscono sulle scelte di montaggio?


Con una dissipazione nominale di 144 W, sono necessarie aree in rame per circuito stampato efficaci o dissipatori di calore per gestire le temperature di giunzione durante il carico sostenuto.

Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo?


Funziona in un intervallo da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.

Questo componente è adatto per la qualificazione automobilistica?


Non è specificato come di tipo automobilistico

la conformità indicata è solo RoHS.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.