MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 4.8 mΩ, 110 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
257-5550
Codice costruttore:
IRFR7540TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon ha una robustezza dV/dt gate, valanga e dinamica migliorata e una capacità e un SOA valanga completamente caratterizzati.

Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata

Senza piombo, conforme a RoHS

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