MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

7,98 €

(IVA esclusa)

9,735 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2045 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,596 €7,98 €
50 - 951,224 €6,12 €
100 - 2451,14 €5,70 €
250 - 9951,116 €5,58 €
1000 +1,096 €5,48 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3002
Codice costruttore:
IPD048N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.731 mm

Altezza

6.223mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.48mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è una scelta perfetta per la rettifica sincrona in alimentatori in modalità switching come quelli presenti in server e computer desktop e caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali

Massima efficienza del sistema

Meno parallelizzazione richiesta

Maggiore densità di potenza

Link consigliati

Recently viewed