MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante IPD048N06L3GATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1230,00 €

(IVA esclusa)

1500,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,492 €1.230,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3001
Codice costruttore:
IPD048N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.223mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.48mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è una scelta perfetta per la rettifica sincrona in alimentatori in modalità switching come quelli presenti in server e computer desktop e caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali

Massima efficienza del sistema

Meno parallelizzazione richiesta

Maggiore densità di potenza

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.