MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 8.3 mΩ, 99 A, TO-252

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
257-9456
Codice costruttore:
IRLR3636TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

99A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

143W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie IRLR di Infineon è un mosfet di potenza a canale n singolo da 60 V in un contenitore D-Pak. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassi RDS (on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Contenitore per montaggio superficiale standard industriale

Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz

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