MOSFET Infineon, canale N 60 V, 8.3 mΩ Miglioramento, 99 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 124-8776
Codice costruttore:: IRLR3636TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 8.3 mΩ Miglioramento, 99 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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Codice RS:: 124-8776
Codice costruttore:: IRLR3636TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	99A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	8.3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	143W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	49nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-16V, +16V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.39mm
	Larghezza	6.22mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 99A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-252
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 143W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.39mm
	Larghezza 6.22mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 99 A - IRLR3636TRPBF

Questo MOSFET di potenziamento a canale n di Infineon è un transistor di potenza progettato per la commutazione ad alta corrente nei circuiti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature e si adatta ad applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione drain-source e una notevole capacità di corrente continua. Il dispositivo è dotato di un contenitore TO-252 per il montaggio compatto a livello di scheda e di un valore nominale di gate che supporta le tipiche tensioni di gate-drive.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio continua massima di 99 A consente la commutazione ad alta corrente
• La tensione massima drain-source di 60 V supporta i sistemi a media tensione
• Rds(on) molto bassa di 8,3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 143 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La carica gate tipica di 49 nC consente una dinamica di commutazione prevedibile
• La tensione diretta di 1,3 V riduce al minimo la caduta di tensione sotto carico

Applicazioni

• Ideale per le fasi di azionamento del motore negli attuatori elettrici
• Adatto per convertitori e regolatori CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria e di distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per la commutazione industriale in azionamenti a velocità variabile

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati durante la progettazione?

Il dispositivo non deve essere azionato oltre una tensione nominale gate-source di 16 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire una commutazione affidabile.

Quali condizioni termiche può tollerare durante il funzionamento?

Il transistor è specificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi con un'adeguata gestione termica.

In che modo il pacchetto influisce sul layout e sul montaggio della scheda?

Il formato a montaggio superficiale TO-252 fornisce un ingombro compatto e un percorso termico al circuito stampato, facilitando i collegamenti a bassa induttanza e un trasferimento di calore efficiente.

In che modo il tipo di canale influisce sul comportamento di commutazione?

Essendo un dispositivo di potenziamento a canale N significa che richiede un azionamento gate positivo rispetto alla sorgente per l'accensione, offrendo bassi Rds(on) se azionato in modo appropriato.