MOSFET Infineon, canale N 60 V, 8.3 mΩ Miglioramento, 99 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR3636TRPBF
- Codice RS:
- 830-3372
- Codice costruttore:
- IRLR3636TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 830-3372
- Codice costruttore:
- IRLR3636TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 99A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 143W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -16V, +16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 99A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 143W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 99 A - IRLR3636TRPBF
Questo MOSFET di potenziamento a canale n di Infineon è un transistor di potenza progettato per la commutazione ad alta corrente nei circuiti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature e si adatta ad applicazioni che richiedono una robusta gestione della tensione drain-source e una notevole capacità di corrente continua. Il dispositivo è dotato di un contenitore TO-252 per il montaggio compatto a livello di scheda e di un valore nominale di gate che supporta le tipiche tensioni di gate-drive.
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua massima di 99 A consente la commutazione ad alta corrente
• La tensione massima drain-source di 60 V supporta i sistemi a media tensione
• Rds(on) molto bassa di 8,3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 143 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La carica gate tipica di 49 nC consente una dinamica di commutazione prevedibile
• La tensione diretta di 1,3 V riduce al minimo la caduta di tensione sotto carico
• La tensione massima drain-source di 60 V supporta i sistemi a media tensione
• Rds(on) molto bassa di 8,3 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 143 W consente un funzionamento ad alta potenza prolungata
• La carica gate tipica di 49 nC consente una dinamica di commutazione prevedibile
• La tensione diretta di 1,3 V riduce al minimo la caduta di tensione sotto carico
Applicazioni
• Ideale per le fasi di azionamento del motore negli attuatori elettrici
• Adatto per convertitori e regolatori CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria e di distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per la commutazione industriale in azionamenti a velocità variabile
• Adatto per convertitori e regolatori CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con moduli di gestione della batteria e di distribuzione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per la commutazione industriale in azionamenti a velocità variabile
Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati durante la progettazione?
Il dispositivo non deve essere azionato oltre una tensione nominale gate-source di 16 V per evitare lo stress da ossido gate e garantire una commutazione affidabile.
Quali condizioni termiche può tollerare durante il funzionamento?
Il transistor è specificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi con un'adeguata gestione termica.
In che modo il pacchetto influisce sul layout e sul montaggio della scheda?
Il formato a montaggio superficiale TO-252 fornisce un ingombro compatto e un percorso termico al circuito stampato, facilitando i collegamenti a bassa induttanza e un trasferimento di calore efficiente.
In che modo il tipo di canale influisce sul comportamento di commutazione?
Essendo un dispositivo di potenziamento a canale N significa che richiede un azionamento gate positivo rispetto alla sorgente per l'accensione, offrendo bassi Rds(on) se azionato in modo appropriato.
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