MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.7 mΩ, 60 A, TO-220, Foro passante IRF60B217
- Codice RS:
- 257-9294
- Codice costruttore:
- IRF60B217
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,668 € | 3,34 € |
| 50 - 120 | 0,64 € | 3,20 € |
| 125 - 245 | 0,594 € | 2,97 € |
| 250 - 495 | 0,554 € | 2,77 € |
| 500 + | 0,522 € | 2,61 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9294
- Codice costruttore:
- IRF60B217
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è un potente mosfet di potenza IRFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore TO 220. La robusta famiglia di potenza IRFET Mosfet è ottimizzata per bassa RDS(on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.
Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale
Corrente nominale elevata
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
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