MOSFET Infineon, canale Tipo N 20 V, 18 mΩ, -9 A, 8 Pin, SO-8 IRF7324TRPBF
- Codice RS:
- 257-9303
- Codice costruttore:
- IRF7324TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,098 € | 5,49 € |
| 50 - 120 | 0,966 € | 4,83 € |
| 125 - 245 | 0,90 € | 4,50 € |
| 250 - 495 | 0,832 € | 4,16 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9303
- Codice costruttore:
- IRF7324TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id -9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRF Infineon è un mosfet di potenza HEXFET a doppio canale P da -20 V in un contenitore SO 8.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Possibilità di saldatura a onda