MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.1 mΩ, 110 A, TO-263, Superficie IRFS7540TRLPBF
- Codice RS:
- 257-9440
- Codice costruttore:
- IRFS7540TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
9,26 €
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9440
- Codice costruttore:
- IRFS7540TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.1mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 88nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.1mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 88nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFS di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore D2 Pak senza piombo.
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Ottimizzato per la tensione di azionamento del gate da 10 V (chiamato livello normale)
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Possibilità di saldatura a onda