MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.1 mΩ, 110 A, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 257-9439
- Codice costruttore:
- IRFS7540TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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940,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,963 € | 770,40 € |
| 1600 + | 0,915 € | 732,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9439
- Codice costruttore:
- IRFS7540TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.1mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 88nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.1mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 88nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFS di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale singolo n da 60 V in un contenitore D2 Pak senza piombo.
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Ottimizzato per la tensione di azionamento del gate da 10 V (chiamato livello normale)
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Contenitore di alimentazione per montaggio superficiale standard industriale
Possibilità di saldatura a onda