MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.1 mΩ, 100 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-0632
Codice costruttore:
AUIRFR8403TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

66nC

Dissipazione di potenza massima Pd

99W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche Infineon, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo design includono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, una velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Tecnologia di processo avanzata

Nuova resistenza all'accensione ultra bassa

Temperatura d'esercizio 175 °C

Commutazione rapida

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

Senza piombo, conforme a RoHS

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