MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.5 mΩ, 119 A, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

944,00 €

(IVA esclusa)

1152,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 2000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +0,472 €944,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
217-2623
Codice costruttore:
IRFR4104TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Bassissima resistenza in stato attivo 1

Temperatura d'esercizio 75 °C.

Commutazione rapida R

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax L.

Senza pubblicità

Link consigliati