MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.5 mΩ, 119 A, TO-252, Superficie IRFR4104TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2625
Codice costruttore:
IRFR4104TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-39-423

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Bassissima resistenza in stato attivo 1

Temperatura d'esercizio 75 °C.

Commutazione rapida R

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax L.

Senza pubblicità

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