MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.5 mΩ, 119 A, TO-252, Superficie IRFR4104TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2625
Codice costruttore:
IRFR4104TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.39 mm

Distrelec Product Id

304-39-423

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Bassissima resistenza in stato attivo 1

Temperatura d'esercizio 75 °C.

Commutazione rapida R

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax L.

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