MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 3.6 mΩ N, 70 A, TO-252, Superficie IPD068P03L3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3831
Codice costruttore:
IPD068P03L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor a effetto campo in modalità di potenziamento a canale P Infineon è una famiglia OptiMOS estremamente innovativa che include MOSFET di potenza a canale P. Questi prodotti soddisfano costantemente le più elevate esigenze di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione di sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato attivo e le caratteristiche di merito.

Modalità di potenziamento

Livello logico

Valanga

Commutazione rapida

Valore nominale Dv/dt

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