MOSFET Infineon, canale N 60 V, 39.80 mΩ N, 30 A, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 258-3836
- Codice costruttore:
- IPD220N06L3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3836
- Codice costruttore:
- IPD220N06L3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | IPD | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 39.80mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie IPD | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 39.80mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima drain-source 60 V, corrente di drenaggio continua massima 30 A - IPD220N06L3GATMA1
Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza in ambienti termici impegnativi. Combina una tensione nominale moderata con una notevole capacità di corrente continua, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e un montaggio compatto. Il dispositivo è conforme agli standard RoHS ed è offerto in un contenitore TO‐252 per un assemblaggio semplice del circuito stampato.
Caratteristiche e vantaggi:
• RDS(on) di 39,8 mΩ che garantisce perdite di conduzione ridotte
• Tensione diretta di 1,2 V che consente una commutazione efficiente tramite gate
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +175 °C per supportare ampie temperature estreme
• Valore nominale drain-source di 60 V che consente un robusto spazio di tensione
• Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta carichi ad alta corrente
• Tensione diretta di 1,2 V che consente una commutazione efficiente tramite gate
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a +175 °C per supportare ampie temperature estreme
• Valore nominale drain-source di 60 V che consente un robusto spazio di tensione
• Corrente di drenaggio continua di 30 A che supporta carichi ad alta corrente
Applicazioni
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione CC
• Ideale per le fasi di commutazione del driver del motore
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria che richiedono il montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nei convertitori
• Adatto per la commutazione di carichi ad alta corrente su circuiti stampati compatti
• Ideale per le fasi di commutazione del driver del motore
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria che richiedono il montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona nei convertitori
• Adatto per la commutazione di carichi ad alta corrente su circuiti stampati compatti
Quale tipo di contenitore è disponibile per l'assemblaggio su circuito stampato?
Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO‐252 adatto per i processi di rifusione.
Quale polarità di canale impiega per i circuiti di controllo?
Utilizza una configurazione a canale N per topologie di commutazione low-side o high-side a seconda del design del circuito.
È progettato per la qualificazione automobilistica?
Non è designato come dispositivo standard automobilistico, ma soddisfa i requisiti ambientali RoHS.
Quale stile di montaggio è adatto per questo componente?
Il transistor è progettato per il montaggio superficiale per consentire layout di schede a basso profilo.
Qual è la temperatura d'esercizio massima specificata?
Il componente è classificato per funzionare fino a +175 °C.
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