MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 8.9 mΩ Miglioramento, -73 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70P04P409ATMA2
- Codice RS:
- 258-3862
- Codice costruttore:
- IPD70P04P409ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3862
- Codice costruttore:
- IPD70P04P409ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -73A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -73A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPD, dissipazione di potenza 75 W - tensione drain-source 40 V - IPD70P04P409ATMA2
Questo MOSFET è un transistor di potenza in modalità di potenziamento a canale P progettato per applicazioni a montaggio superficiale in ambienti elettrici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a 175 °C ed è adatto nei casi in cui è richiesta la gestione di correnti elevate e un montaggio compatto. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa lo standard di prova automobilistico AEC‐Q101 per l'uso nell'elettronica di livello automobilistico.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 8.9 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La corrente di drenaggio continua di -73 A supporta elevate esigenze di corrente
• La dissipazione di potenza di 75 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 54 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il pacchetto TO‐252 facilita il montaggio in superficie compatto
• La corrente di drenaggio continua di -73 A supporta elevate esigenze di corrente
• La dissipazione di potenza di 75 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 54 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il pacchetto TO‐252 facilita il montaggio in superficie compatto
Applicazioni
• Adatto per la commutazione di carichi ad alta corrente nei sistemi automobilistici
• Ideale per la protezione contro l'inversione di polarità nelle guide di alimentazione
• Utilizzato con circuiti di gestione dell'alimentazione nell'elettronica dei veicoli
• Può essere utilizzato per il controllo sincrono nelle fasi di potenza CC
• Adatto per progetti termicamente stabili in ampi intervalli di temperatura
• Ideale per la protezione contro l'inversione di polarità nelle guide di alimentazione
• Utilizzato con circuiti di gestione dell'alimentazione nell'elettronica dei veicoli
• Può essere utilizzato per il controllo sincrono nelle fasi di potenza CC
• Adatto per progetti termicamente stabili in ampi intervalli di temperatura
Quale tensione nominale si applica tra il drenaggio e la sorgente?
Il dispositivo è classificato per una tensione massima drain‐to‐source di -40 V.
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per evitare danni?
La tensione gate‐to‐source non deve superare 20 V per evitare la sollecitazione del gate.
In che modo il contenitore influisce sull'assemblaggio del circuito stampato?
Il fattore di forma a montaggio superficiale TO‐252 supporta processi di saldatura a riflusso standard e layout di schede compatte.
Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per il funzionamento da -55 °C fino a 175 °C per un'ampia gamma di resistenza termica.
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