MOSFET Infineon, canale Tipo P -40 V, 8.9 mΩ Miglioramento, -73 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3861
Codice costruttore:
IPD70P04P409ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-73A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie IPD, dissipazione di potenza 75 W - tensione drain-source 40 V - IPD70P04P409ATMA2


Questo MOSFET è un transistor di potenza in modalità di potenziamento a canale P progettato per applicazioni a montaggio superficiale in ambienti elettrici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a 175 °C ed è adatto nei casi in cui è richiesta la gestione di correnti elevate e un montaggio compatto. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa lo standard di prova automobilistico AEC‐Q101 per l'uso nell'elettronica di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 8.9 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La corrente di drenaggio continua di -73 A supporta elevate esigenze di corrente
• La dissipazione di potenza di 75 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 54 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• Il pacchetto TO‐252 facilita il montaggio in superficie compatto

Applicazioni


• Adatto per la commutazione di carichi ad alta corrente nei sistemi automobilistici
• Ideale per la protezione contro l'inversione di polarità nelle guide di alimentazione
• Utilizzato con circuiti di gestione dell'alimentazione nell'elettronica dei veicoli
• Può essere utilizzato per il controllo sincrono nelle fasi di potenza CC
• Adatto per progetti termicamente stabili in ampi intervalli di temperatura

Quale tensione nominale si applica tra il drenaggio e la sorgente?


Il dispositivo è classificato per una tensione massima drain‐to‐source di -40 V.

Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per evitare danni?


La tensione gate‐to‐source non deve superare 20 V per evitare la sollecitazione del gate.

In che modo il contenitore influisce sull'assemblaggio del circuito stampato?


Il fattore di forma a montaggio superficiale TO‐252 supporta processi di saldatura a riflusso standard e layout di schede compatte.

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per il funzionamento da -55 °C fino a 175 °C per un'ampia gamma di resistenza termica.

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