MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ, 22 A, 3 Pin, TO-247 IPW60R099C7XKSA1
- Codice RS:
- 258-3907
- Codice costruttore:
- IPW60R099C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3907
- Codice costruttore:
- IPW60R099C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a supergiunzione CoolMOS C7 da 600 V Infineon offre una riduzione delle perdite di spegnimento del ∼50% rispetto al CoolMOS CP, offrendo un livello di prestazioni eccezionale in PFC, TTF e altre topologie difficili da commutare. Il MOSFET è anche un accoppiamento perfetto per i progetti di caricabatterie ad alta densità di potenza. Applicazioni di efficienza e TCO come i centri dati iper e i raddrizzatori per telecomunicazioni ad alta efficienza (>Il 96%) beneficia della maggiore efficienza offerta da CoolMOS C7. È possibile ottenere guadagni da 0,3% a 0,7% nelle topologie PFC e 0,1% nelle topologie LLC. Nel caso di un PSU per server da 2,5 kW, ad esempio, l'uso di MOSFET CoolMOS C7 SJ da 600 V in un contenitore a 4 pin TO-247 può comportare una riduzione dei costi energetici di ∼10% per la perdita di energia del PSU.
Maggiore frequenza di commutazione
Migliore R (on)A al mondo
Diodo corpo robusto
Misurazione che mostra il parametro chiave per il carico leggero e l'efficienza a pieno carico
Raddoppiare la frequenza di commutazione dimezza le dimensioni dei componenti magnetici
Contenitori più piccoli per lo stesso R DS(on)
Può essere usato in molte più posizioni per topologie di commutazione rigide e morbide
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