MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ, 22 A, 3 Pin, TO-247 IPW60R099C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3907
Codice costruttore:
IPW60R099C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

IPW

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a supergiunzione CoolMOS C7 da 600 V Infineon offre una riduzione delle perdite di spegnimento del ∼50% rispetto al CoolMOS CP, offrendo un livello di prestazioni eccezionale in PFC, TTF e altre topologie difficili da commutare. Il MOSFET è anche un accoppiamento perfetto per i progetti di caricabatterie ad alta densità di potenza. Applicazioni di efficienza e TCO come i centri dati iper e i raddrizzatori per telecomunicazioni ad alta efficienza (>Il 96%) beneficia della maggiore efficienza offerta da CoolMOS C7. È possibile ottenere guadagni da 0,3% a 0,7% nelle topologie PFC e 0,1% nelle topologie LLC. Nel caso di un PSU per server da 2,5 kW, ad esempio, l'uso di MOSFET CoolMOS C7 SJ da 600 V in un contenitore a 4 pin TO-247 può comportare una riduzione dei costi energetici di ∼10% per la perdita di energia del PSU.

Maggiore frequenza di commutazione

Migliore R (on)A al mondo

Diodo corpo robusto

Misurazione che mostra il parametro chiave per il carico leggero e l'efficienza a pieno carico

Raddoppiare la frequenza di commutazione dimezza le dimensioni dei componenti magnetici

Contenitori più piccoli per lo stesso R DS(on)

Può essere usato in molte più posizioni per topologie di commutazione rigide e morbide

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