MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.014 Ω, 64 A, TO-263, Superficie IRFZ48NSTRLPBF
- Codice RS:
- 258-3990
- Codice Distrelec:
- 304-40-547
- Codice costruttore:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3990
- Codice Distrelec:
- 304-40-547
- Codice costruttore:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 64A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.014Ω | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 130W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 81nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 64A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.014Ω | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 130W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza HEXFET Infineon di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il D2Pak è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di ospitare stampi di dimensioni fino a HEX-4. Fornisce la più alta capacità di potenza e la più bassa resistenza all'accensione possibile in qualsiasi contenitore per montaggio superficiale esistente. Il D2Pak è adatto per applicazioni ad alta corrente grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interno e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale.
Tecnologia di processo avanzata
Montaggio superficiale
Profilo basso a foro passante
Temperatura d'esercizio 175 °C
Commutazione rapida
Grado di protezione completamente a valanga
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