MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.014 Ω, 64 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
258-3989
Codice costruttore:
IRFZ48NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.014Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

81nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza HEXFET Infineon di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il D2Pak è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di ospitare stampi di dimensioni fino a HEX-4. Fornisce la più alta capacità di potenza e la più bassa resistenza all'accensione possibile in qualsiasi contenitore per montaggio superficiale esistente. Il D2Pak è adatto per applicazioni ad alta corrente grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interno e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale.

Tecnologia di processo avanzata

Montaggio superficiale

Profilo basso a foro passante

Temperatura d'esercizio 175 °C

Commutazione rapida

Grado di protezione completamente a valanga

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